Для отримання електронної структури та фононних частот були проведені самоузгоджені розрахунки у межах теорії функціонала густини повнопотенціальним методом приєднаних плоских хвиль і методом псевдопотенціалу. В результаті, для халькогенідів заліза FeTe, FeSe та Rb2Fe4Se5 стало можливим дослідити вплив магнітного моменту іона заліза та його спінового стану на фононну підсистему цих сполук. Виявлено аномальне пом'якшення високочастотних фононів при збільшенні магнітного моменту заліза і висока чутливість B1g(Fe) фонону до спінового стану іона заліза. Показано, що зміна спінового стану є можливою причиною виявленого експериментально аномально великого посилення цієї фононного моди в FeSe. У фазово сепарованому Rb0.8+xFe1.6+ySe2 отримані частоти фононів у різних фазах, а також встановлено можливість існування вакансійно впорядкованої провідної фази Rb2Fe4Se5 як роздільника між непровідною магнітною фазою Rb2Fe4Se5 та надпровідною RbδFe2Se2 немагнітною фазою. Для систем, що складаються з вуглецевих нанотрубок та нанодротів заліза розрахована стабільність структури залежно від геометричних параметрів, а також магнітні та провідні властивості для різних варіантів впорядкування заліза всередині нанотрубок.

Постачальник даних: УкрІНТЕІ (Український Інститут науково-технічної експертизи та Інформації)

  Завантажити автореферат