Дисертація присвячена з'ясуванню впливу фонових та радіаційно-стимульованих дефектів на електрофізичні властивості GaAs, CdTe, CdZnTe та характеристики детекторів ядерних випромінювань на основі цих сполук. За допомогою програмного коду, створеного на основі моделі компенсації у поєднанні з моделями розсіювання і рекомбінації, обчислювались положення рівня Фермі F, питомий опір ρ, електронна рухливість μn, час життя нерівноважних носіїв заряду τ в залежності від концентрації багатозарядних донорів та акцепторів, їх енергетичного положення в забороненій зоні напівпровідника, неоднорідностей легування в широкому температурному інтервалі. Проведено чисельне дослідження поведінки µ¬n, ρ, F, τ і ефективності збору зарядів η, для детекторів на основі GaAs, CdTe і CdXZn1-XTe в широких діапазонах концентрацій дефектів. Знайдено пояснення залежностей μn, ρ, τ і η від складу матриці. Визначені концентрації домішок та дефектів, необхідні для отримання високоомних CdTe і CdZnTe з високою µn і максимальною η у детекторах ядерних випромінювань з різною формою електродів. Встановлена кореляція між радіаційними дефектами, що виникають в CdTe:Cl і CdZnTe після жорсткого рентгенівського опромінення і ρ, η детекторів на їх основі. Визначена роль радіаційних дефектів у процесах деградації детекторних характеристик CdTe:Cl. Знайдено пояснення більш високої радіаційної стійкості CdZnTe у порівнянні з CdTe:Cl. Визначені умови деградації властивостей детектора на початковому етапі експлуатації під дією γ-опромінення.

Постачальник даних: УкрІНТЕІ (Український Інститут науково-технічної експертизи та Інформації)

  Завантажити автореферат