За результатами роботи вперше побудовано 7 ізотермічних перерізів систем Сu(Ag)2Se – Cd(Pb)Se – As(Sb)2Se3 при 620 К, Сu(Ag)2Se – Ge(Sn)Se2 – Sb2Se3 при 620 К та 570 К, 9 діаграм стану, 14 політермічних перерізів систем Сu(Ag)2Se – Cd(Pb)Se – As(Sb)2Se3, Сu2Se – Ge(Sn)Se2 – Sb2Se3 та споріднених, 4 проекції поверхонь ліквідусу систем Сu2Se – Ge(Sn)Se2 – Sb2Se3, Сu2Se – Cd(Pb)Se – As(Sb)2Se3 на концентраційний трикутник. Вперше були визначені області первинної кристалізації фаз, типи і координати нон- і моноваріантних рівноваг. Вперше кристалічна структура сполук Cu12-хZn(Cd,Fe,Co,Ni)хAs(Sb)4S(Se)13, для х=1,848, визначена методом порошку (пр.гр. I-43m). Для тетрарних сполук Cu10,26Mn1,92As4S13, (пр. гр. I-43m, a=1,02240(12) нм), Cu10,32Co1,8As4S13 (пр. гр. I-43m, a=1,01800(12) нм) кристалічна структура була вперше визначена методом монокристалу. Для вирощених з розплаву монокристалів твердих розчинів на основі AgSbSe2 складів: AgSbSe2; Ag90Sb90Pb10Se190; Ag80Sb80Pb20Se180; Ag70Sb70Pb30Se170; Ag65Sb65Pb35Se165 та з області первинної кристалізації твердих розчинів на основі PbSe складів: Ag8Sb8Pb92Se108; Ag5Sb5Pb95Se105; PbSe виміряні значення питомої електропровідності при Т=300 К та коефіцієнта термо-ерс. Встановлено, що питома електропровідність зі збільшенням PbSe зменшувалась від 1,4 Ом-1∙см-1, для монокристалу AgSbSe2, до 10-2 Ом-1∙см-1 для монокристалу Ag65Sb65Pb35Se165. Збільшення вмісту PbSe підвищувало коефіцієнт термо-е.р.с. від 530 мкВ/К для AgSbSe2 до 1100 мкВ/К для монокристалу Ag65Sb65Pb35Se165. Досліджувані зразки виявились напівпровідниками діркового типу провідності. Монокристали Ag8Sb8Pb92Se108; Ag5Sb5Pb95Se105 мають високе значення коефіцієнта термо-е.р.с. (60–220 мкВ/K).

Постачальник даних: УкрІНТЕІ (Український Інститут науково-технічної експертизи та Інформації)

  Завантажити автореферат