Дисертаційна робота присвячена дослідженню основоположних електронних процесів, що виникають в полікристалічній міді і мідно-оксидних високотемпературних надпровідниках (ВТНП) YBa2Cu3O7-δ під впливом різних дефектів, що виникають в результаті деформації міді, а також безкисневого відпалу полікристалів і в залежності від способу приготування плівок – з метою отримання інформації про фізичну природу взаємодії надпровідності і дефектів і їх можливого впливу на поверхню Фермі (ПФ). Вперше проведено порівняльний аналіз температурних залежностей електроопору та термоЕРС, S(T), в міді і виявлені аномалії опору при низьких Т, що корелюють з особливостями S(T), найбільш ймовірно пов'язаних з можливістю резонансного розсіювання вільних електронів і теплових фононів на локалізованих поблизу дислокацій електронах.Вперше показано, що нахил S(T) у YBa2Cu3O7-δ змінюється при Т=Т*, підтверджуючи можливість перебудови ПФ при температурі відкриття псевдощілини. Відповідно, залежність S(T)/T від logT змінюється від лінійної до нелінійної при зменшенні щільності носіїв заряду nf нижче критичного допування р*, що вказує на передбачувану зміну ПФ при переході nf через квантову критичну точку.Вперше показано, що модель малокутових границь розділу кристалічних блоків, розвинена для критичних струмів jc(Т) в добре структурованих плівках, з ростом числа дефектів не працює, а нахил залежностей log jc від log(1–T/Tc) помітно змінюються при температурі 3D-2D кроссоверу, що підтверджує зміну електронної розмірності ВТНП нижче Тс.

Постачальник даних: УкрІНТЕІ (Український Інститут науково-технічної експертизи та Інформації)

  Завантажити автореферат