Створено надвисоковакуумну установку типу "чорна камера" для комплексного дослідження адсорбційно-десорбційних процесів у широкому діапазоні температур дослідженого зразка (5 - 2500 К) і газу у джерелі молекулярного пучка (80 - 550 К). Вперше отримано спектри слабкозв'язаних низькоенергетичних адсорбційних станів молекулярного кисню, адсорбованого за умов 5 К, для досліджуваних граней вольфраму, а також отримано залежності імовірності прилипання кисню за температури підкладок 5 К та їх зміну з температурою поверхні адсорбента, газу та ступеня покриття. Прослідковані різні механізми кінетики залежно від умов адсорбції та виявлено, що дисоціативна адсорбція кисню на досліджених гранях вольфраму відбувається за температури 5 К. Встановлено, що після заповнення першого моношару на всіх підкладках виявляються ознаки адсорбції через зовнішній передстан, у ролі якого, можливо, виступає адсорбційний стан слабкої молекулярної хемосорбції АС45 (АС60 для W(III)). Досліджено ефект амортизації в області закінчення заселення хемосорбованого атомарного моношару та початку утворення слабкозв'язаного молекулярного моношару за температури адсорбції ~ 5 К, величина якого збільшується у разі збільшення температури газу в ефузивному джерелі. Доведено, що енерегетичні характеристики фізадсорбованих шарів у даних системах не залежать від електронної та атомної структур поверхні та, в основному, відзначаються фізико-хімічними властивостями кисню, а характер кінетики адсорбції дає змогу конкретизувати хід потенціалу взаємодії газ - поверхня.

  Завантажити