Установлено структуру J-агрегатів amphi-PIC й особливості формування локалізованих і поляронних екситонних станів за умов великого ступеня безладу. Показано, що залежно від умов приготування J-агрегати amphi-PIC можуть формувати одношарову (циліндричну) чи двошарову (циліндричну та дискову) структури. Установлено, що за умов опромінення коротко-хвильовим збудженням окремих (обособлених) J-агрегатів відбувається фотоіндукована реорганізація їх молекулярного впакування. Виявлено локальні екситонні стани у даних агрегатів, які мають прояв у спектрах окремих J-агрегатів за низької температури як багатьох окремих ліній. Досліджено процес безвипромінювального переносу енергії у нанорозмірних системах на прикладі J-агрегатів і міцел поверхнево активних речовин. Показано, що за умов великого ступеня безладу короткохвильову частину J-смуги формують делокалізовані екситони, а довгохвильовий край - локалізовані екситонні стани. Установлено складний характер температурної залежності процесу міграції екситонів, взаємопов'язаний з дією статичного та динамічного безладів. Показано головну роль безладу у розвитку поляронної релаксації нижче дна екситонної зони й у формуванні бар'єра автолокалізації.

  Завантажити