Створено оригінальну надвисоковакуумну установку, проведено експериментальні дослідження процесів формування складу поверхні кристалів, випаровування компонент кристалів, емісійних властивостей кристалів. Показано, що за умов впливу електронної підсистеми кристалів температури, електричного поля та струму можна керувати процесами формування складу поверхні кристалів. Встановлено, що керуванням процесом випаровування компонент кристалів за умов високого вакууму можна отримувати плівки різного складу. На підставі аналізу результатів дослідження можливостей керування процесами випаровування та формування складу поверхні кристала GaAs за термовакуумної обробки за умов впливу на електронну підсистему шляхом пропускання струму в системі зонд-кристал доведено, що пропускання струму через кристал суттєво змінює швидкість випаровування As, залежно від величини струму, температури зразка та концентрації вільних носіїв заряду. Напрямок ефекту визначається знаком потенціалу (напрямком струму), що прикладається, та типом вільних носіїв заряду. Формування складу поверхні кристалів, за результатами експериментальних досліджень, залежить від їх ступеня іонності.

  Завантажити