Розглянуто вплив одиничних дефектів на нелінійну провідність квантових контактів. Сформульовано тривимірні моделі, що адекватно описують реальні експерименти. Одержано вираз для нелінійної провідності тунельного контакту й балістичного мікрозвуження. Показано, що провідність є осцилюючою функцією прикладеної напруги й відстані між контактом і дефектом. Виявлено, що осциляції обумовлені ефектом квантової інтерференції між електронними хвилями. Теоретично обгрунтовано новий метод дефектоскопії провідників за допомогою скануючого тунельного мікроскопу, що дозволяє визначити положення дефекту. Встановлено, що потужність дробового шуму і провідність квантового дротика, що містить одиничні дефекти й бар'єр, осциляційним чином залежить від прикладеної напруги, а періоди осциляцій визначаються відстанями між дефектами, а також дефектами та бар'єром. З'ясовано, що амплітуда осциляцій залежить від положення дефектів щодо осі дротика. На підставі залежності від енергії ймовірності проходження електронів через квантовий дротик пояснено пригнічення осциляцій провідності контакту, що спостерігалося експериментально, поблизу значень кратних кванту провідності. Показано, що вплив "повільної" дворівневої системи на провідність квантового дроту залежить від двох позицій дефекту усередині її. Передбачено, що у разі зміни діаметра дротика поправка до провідності та мікроконтактний спектр можуть змінювати знак.

  Завантажити