Досліджено симетрійні та структурні фактори, які є визначальними у формуванні енергетичних спектрів складних кристалів, а також характеризують їх відклик на зовнішні збурення - деформації та дефект. У межах концепції мінімальних комплексів зон з використанням наближення пустої гратки встановлено симетрійні аспекти формування зонного спектра кристала CdSb в околі забороненої зони. На прикладі цього напівпровідника встановлено особливості формування мінімальних комплексів зон у валентній зоні кристалів, у яких жоден з атомів в елементарній комірці не розміщується у специфічних позиціях Викоффа.

  Завантажити