Вивчено вплив термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів на характеристики дислокаційно-домішкової структури та розсіяння рентгенівських променів. Описано явище анізотропії полів напруг у монокристалах кремнію з упорядкованою дислокаційною структурою та процес низькотемпературної повзучості кристалів CdHgTe у разі локального навантаження. Розглянуто процеси динаміки руху дислокацій під дією механічного навантаження в кристалах кремнію як вихідних, так і з твердофазними металевими покриттями. Показано, що виникнення та ріст преципітатів під час термомеханічної обробки кристалів призводять до немонотонного характеру руху дислокацій. Дослідження методом трикристальної рентгенівської дифрактометрії (ТКД) показали анізотропію розсіяння рентгенівських променів упорядкованими дислокаційними структурами. Встановлено, що за кімнатної температури в кремнії відбувається релаксація механічних напруг у порушеному шарі. Обгрунтовано суттєве прискорення процесу розпаду твердого розчину кисню в кристалах Cz - Si за дії механічних напружень, створених введеними в кристал дислокаціями або рядом уколів мікроіндентора. Показано можливість використання у виробництві методів ТКД для діагностики якості матеріалів напівпровідникової промисловості.

  Завантажити