Наведено результати комплексних досліджень взаємного впливу мікромеханічних властивостей, морфології та структурної досконалості гомо- і гетероепітаксійних структур на основі арсеніда галію, вивчено умови їх отримання. Показано, що технологічні умови вирощування - температура процесу вирощування, орієнтація та структурна досконалість матеріалу підкладки, склад розчину під час рідкофазної епітаксії, тип і концентрація домішки мають вплив на мікромеханічні властивості отриманих структур. Вперше досліджено підкладки GaAs, леговані Si, які не мали дислокацій. Показано, що мікротвердість чутлива до ступеня компенсації носіїв заряду. Розроблено нову методику спостереження переміщення дислокацій у полі механічних напруг. За допомогою даної методики досліджено мікромеханічні властивості та напружений стан гетероструктур за наявністю сітки дислокацій невідповідності на гетеромежі (на прикладі Ge - GaAs), що виникає внаслідок розходжень параметрів кристалічних граток підкладки і шару, та показано, що розвиток деформації у гетероструктурі Ge - GaAs змінює свій напрямок після досягнення гетеромежі.

  Завантажити