Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Автореферати дисертацій - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=20081124006237<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
Ренгевич О.Є. Вплив gamma-радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром Шотткі : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / О.Є. Ренгевич ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 2001. — 19 с.: рис. — укp. Дослідження впливу НВЧ випромінювання на параметри ПТШ показали, що зміна характеристик настає навіть за незначних термінів обробки. Внаслідок впливу НВЧ випромінювання збільшується висота бар'єра, а фактор ідеальності зменшується. Експериментально доведено, що, аналогічно випадку gamma-опромінювання, існує діапазон термінів обробки, у якому можливе поліпшення параметрів ПТШ. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395 Шифр НБУВ: РА313614 Пошук видання у каталогах НБУВ Рубрики: | |||
 |
| Відділ інформаційно-комунікаційних технологій |
 Пам`ятка користувача |