Розроблено методику та зроблено оцінку міжбалістичного транспорту вільних носіїв у приладах з арсеніду галію залежно від режиму роботи та параметрів напівпровідникових структур (НПС). Запропоновано математичну модель для опису у кінетичному наближенні процесів, що відбуваються у НПС, яка враховує найбільш імовірні процеси розсіяння електронів у кристалі напівпровідника. Наведено модель і створено пакет програм для комплексного числового моделювання уніполярних напівпровідникових приладів планарної архітектури з затвором Шотткі. Проведено апробацію моделі, показано адекватність опису процесів, що відбуваються у приладах субмікронних розмірів. За допомогою даної моделі проведено цикл експериментів, що досліджують динамічні характеристики GaAs і вплив різних режимних і конструктивних параметрів на характеристики польових транзисторів із затвором Шотткі.

  Завантажити