Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=20081124009678<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
| Оліх О.Я. Дослідження акусто-фото-електричної взаємодії в напівпровідникових структурах GaAs і Si : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / О.Я. Оліх ; Київ. нац. ун-т ім. Т.Шевченка. — К., 2000. — 16 с. — укp.Експериментально вивчено динамічний вплив ультразвуку на електрофізичні та фотоелектричні параметри кремнію та структур на його основі, використання ультразвукових методик для вимірювання параметрів епітаксійних напівпровідникових структур. Виявлено ефект збільшення довжини дифузії неосновних носіїв заряду в бездислокаційному монокристалічному кремнії під дією ультразвуку. Знайдено ефективний об'єм акусто-дефектної взаємодії. Запропоновано модель бістабільного акустоактивного рекомбінаційного центру. Визначено ряд параметрів електронних рівнів, пов'язаних з комплексами точкових дефектів у епітаксійних структурах арсеніду галію. Встановлено, що за допомогою ультразвуку можна збільшити струм короткого замикання сонячного елемента та впливати на інші його характеристики. Показано, що ультразвук може бути ефективним інструментом впливу на процеси фотоелектричного перетворення. Завантажити Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4,022 Шифр НБУВ: РА312293 Пошук видання у каталогах НБУВ
Рубрики:
|
|
|