Розроблено методики виявлення та функціональної ідентифікації макроскопічних ростових дефектів кристалів ZnSe і CZT, що широко використовуються як матеріали для лазерної техніки та детекторів радіаційного випромінювання. Показано, що фунціональна ідентифікація макроскопічних ростових дефектів можлива в межах розгляду їх як джерел внутрішніх механічних і електричних полів. Проведено експериментальні дослідження низькочастотних діелектричних відгуків кристалів ZnSe і CZT на тестові впливи електричних полів, фотозбудження та термічного впливу. Представлено діелектричні відгуки у вигляді графічних образів (діаграм на фазовій площині), що дозволило визначити характеристичні ознаки макроскопічних ростових дефектів та функціонально ідентифікувати їх як витоки чи стоки внутрішнього електричного поля. Показано можливість використання методики функціональної ідентифікації макроскопічних ростових дефектів для контролю технологічної обробки кристалів, а також розроблено новий спосіб акустичної обробки кристалів ZnSe і CZT.

  Завантажити