| Храмов Є.П. Електричні параметри елементів інтегральних схем в умовах дії радіації : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Є.П. Храмов ; Одес. нац. політехн. ун-т. — О., 2005. — 20 с.: рис. — укp.Досліджено вплив опромінення на параметри інтегральних схем (ІС), розроблено методи підвищення радіаційної стійкості. Вивчено закономірності перерозподілу енергії між гармонійними складовими сигналу, що поширюється, у металевих і напівпровідникових резисторах, p - n переходах і транзисторах досліджуваних ІС. На підставі вивчення нелінійних ппроцесів в опромінених напівпровідниках викладено спосіб виміру дози та флієнса частинок. Виявлено мікронеоднорідності, які утворюються у плівках германію в процесі гамма-опромінення. Проаналізовано термодинамічні процеси термопольових впливів та їх позитивну дію на радіаційну стійкість ІС, а також процес виникнення оптичного випромінення та особливості його поширення в прошарках ІС. Завантажити Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15 + З844.15 + З844.15 Шифр НБУВ: РА336561
Рубрики:
|