Науково розроблено електродинамічні моделі резонаторних сенсорів, що використовуються у НВЧ діагностиці напівпровідників, з метою їх оптимізації та дослідження метрологічних можливостей. Запропоновано строгу числово-аналітичну електродинамічну модель апертурних резонаторних сенсорів аксіально-симетричного виду. Дана модель базується на представленні електромагнітних полів у часткових областях через функції Гріна рівнянь Максвела та на одному з варіантів метода напівобернення інтегрального оператора. Розвинуто наближену модель НВЧ резонаторних сенсорів ємнісного типу з метою повного описання електромагнітного поля у шаруватих напівпровідникових зразках через приблизно задане поле в апертурі та функції Гріна для шаруватого напівнескінченного простору. Удосконалено одномодове наближення моделей резонаторних сенсорів хвилеводного типу з метою виключення похибок числової реалізації в областях особливостей характеристичного рівняння. Розглянуто особливості строгого моделювання найбільш поширених резонаторних сенсорів апертурного типу, порівняно результати досліджень за допомогою строгих і наближених моделей. Встановлено особливості використання останніх з метою описування резонаторних сенсорів ємнісного типу.

  Завантажити