Досліджено процеси електрон-фононної взаємодії в системі з сильно-локалізованими носіями (проміжно-легований n-Ge) та в двовимірному електронному газі, де присутні процеси слабкої локалізації (дельта-легований GaAs:Si). Сукупність результатів досліджень фононно-індукованої провідності вдалося надійно пояснити на базі запропонованої моделі "руйнування" слабкої локалізації носіїв під час поглинання енергії акустичних фононів електронним газом. Проведено детальні розрахунки ефектів електрон-фононної взаємодії з урахуванням багатопідзонного характеру системи, що дали змогу дослідити процеси поглинання окремими підзонами та за різних умов падіння фононів на двовимірний шар.

  Завантажити