Розглянуто моделювання електронної підсистеми обмеженої напівпровідникової структури нанометрових розмірів. Модель орієнтовано на пояснення поведінки електронів спорідненості. Розширено галузь використання результатів отриманих в обмеженій моделі Кроніга - Пенні на випадок довільної форми потенційної ями. Визначено від'ємну кривизну дисперсійної залежності енергії електронів за наявності зовнішнього електричного поля. Сформульовано класифікаційне правило, що пов'язує ієрархію потенціалу з ієрархією спектра. Досліджено явище руйнування енергетичних зон із зростанням невпорядкованості.

  Завантажити