Досліджено електронні властивості шаруватих кристалів і тонких плівок селенідів галію та індію з метою встановлення прояву структурних особливостей даних матеріалів у їх електронних властивостях і розроблено фізичні засади технології створення гетероструктур на їх основі. Показано, що кінетика електронно-стимульованих змін оптичних параметрів монокристалів і плівок InSe і GaSe описується рівнянням теплоперенесення для релаксації теплового збурення з урахуванням анізотропії теплопровідності. Проаналізовано методами діаграм фазових рівноваг і парціальних тисків процеси термічного окиснення сполук системи In - Ga - Se.

  Завантажити