Досліджено енергетичні стани електронної підсистеми напівпровідникових надграток. На базі порівняльного дослідження результатів, одержаних за допомогою теоретико-групового підходу та даних першопринципових розрахунків, встановлено можливість застосування концепції мінімальних комплексів зон для визначення основних особливостей просторового розподілу густини валентного заряду у цих матеріалах. Встановлено граничні умови, що накладаються на обвідні функції й їх похідні на гетеропереходах надграток з кусково-гладкою просторовою залежністю матеріальних параметрів. Одержано загальний вигляд матриці перенесення для надгратки з довільним профілем потенціалу та проведено розрахунок енергетичних станів у відповідній моделі. Встановлено вигляд додаткових членів ефективного гамільтоніана, які виникають у разі врахування індукованого всебічним тиском поля деформацій, а також знайдено відповідні граничні умови.

  Завантажити