Наведено результати розрахунків екситонного спектра в нуль-, одно- та двомірних квантово-розмірних структурах типу напівпровідник-діелектрик. У наближенні ефективних мас і квадратичних законів дисперсії розраховано енергії зв'язку екситонів й основного випромінювального екситонного переходу та характеристичні часи псевдопрямої випромінювальної екситонної рекомбінації в таких структурах. Розрахунки проведено з урахуванням скінченності висоти оточуючого потенціального бар'єру для носіїв заряду та проникнення силових ліній електричного поля кулонівської взаємодії між зарядами в діелектричне середовище. Показано, що поляризація гетеромережі та прилеглої області може призвести до значного збільшення внеску кулонівської енергії взаємодії у повну енергію екситонного переходу у квантово-розмірних структурах. Проведено порівняння теорії з експериментом. Показано, що основним фактором уширення спектральних смуг фотолюмінесценції в кремнієвих наноструктурах розмірами менше 4 нм є ефект квантово-мезоскопічних флуктуацій, якщо наявність навіть одного обірваного зв'язку на інтерфейсі, одного дефекту в нанокристалі або в його близькому оточенні сильно впливає на енергію екситонного переходу.

  Завантажити