Наведено результати систематичних теоретичних досліджень властивостей квазідвовимірних та квазіодновимірних систем електронів, локалізованих над поверхнею рідкого гелію. За допомогою варіаційного методу одержано аналітичні вирази для енергії перших двох енергетичних рівнів для руху електронів у напрямку, нормальному до поверхні гелію. Установлено залежність енергії від товщини плівки гелію, що розташована на твердій підкладці, та від товщини шару рідкої фази, збагаченої на <$Enothihg sup 3 roman He>, у розташованому рідкому розчині ізотопів гелію. Вивчено залежність енергетичного спектру електронів, що локалізовані у квазіодновимірному провідному каналі на поверхні гелію, від магнітного поля. Базуючись на знайдених волнових функціях, за методом кінетичного рівняння вивчено рухливість електронів уздовж межі розділу пар - рідкий гелій з використанням різних наближень, з'ясовано внесок міжелектронних зіткнень у формуванні функції розподілу носіїв. Шляхом порівняння з експериментальними даними доведено, що у системі поверхневих електронів реалізується режим повного контролю, за якого зіткнення між електронами відіграють вирішальну роль у формуванні функції розподілу часток. Установлено гамільтоніан розсіяння електронів неоднорідностями дна плівки гелію, обчислено рухливість поверхневих електронів завдяки цьому розсіянню та за умов порівняння з результатами експерименту оцінено характерні розміри неоднорідностей. Вивчено рухливість електронів у квазіодновимірному провідному каналі над рідким гелієм та уперше теоретично знайдено залежність рухливості від притискуючого та ведучого електричних полів. Вивчено вплив магнітного поля на рухливість електронів. За використання методу функцій відгуку у багаторівневих електронних системах знайдено закони дисперсії подовжніх і поперечних плазмових коливань у квазіодновимірному та квазідвовимірному випадках. З'ясовано закон дисперсії поверхневих хвиль розшарованого розчину рідких ізотопів гелію та вивчено рухливість поверхневих електронів завдяки їх взаємодії з цими хвилями. Установлено залежність енергії та параметрів локалізації електронних асиметричних поляронів над гелієм від притискуючого електричного поля. Обчислено асиметричну рухливість полярона уздовж та поперек провідного каналу над поверхнею гелію. Уперше одержано систему рівнянь, що дозволяє одночасно обчислити провідність електронного шару над рідким гелієм, базуючись на виміряних значеннях електричного струму, що витікає з експериментальної комірки.

  Завантажити