У моделі прямокутних потенціальних бар'єрів та наближенні ефективних мас квазічастинок побудовано теорію енергетичних спектрів електрона та дірки в складних еліптичних квантових дротах з радіальною гетероструктурою. Доведено, що дані спектри складаються з енергетичних підзон, які відповідають парним і непарним станам квазічастинок. Виявлено, що енергії електрона та дірки в даних станах мають різну залежність від величини еліптичності наносистем. На базі хвильових функцій електрона в еліптичній нанотрубці встановлено правила відбору та одержано залежності сил осциляторів міжпідзонних квантових переходів електрона у дипольному наближенні від величини еліптичності наногетеросистеми. Розроблено теорію енергетичних спектрів електрона та дірки у складних еліптичних квантових дротах з аксіальною гетероструктурою. З'ясовано, що період існування квазістаціонарних станів електрона у відкритій квантовій точці вздовж еліптичного квантового дроту та ефективні маси квазічастинки в енергетичних підзонах у надгратці вздовж еліптичного квантового дроту мають немонотонні залежності від еліптичності квантового дроту. У межах моделі діелектричного континууму удосконалено теорію енергетичного спектра інтерфейсних і обмежених оптичних фононів у еліптичному квантовому дроті та еліптичній нанотрубці. Показано, що енергії інтерфейсних поляризаційних коливань та потенціали поляризації інтерфейсних та обмежених фононів залежать від геометричних розмірів і величини еліптичності наносистем.

  Завантажити