Показано вплив модифікації, кристалічної орієнтації та хімічної чистоти поверхні на процеси пружного та непружного розсіювання повільних моноенергетичних електронів. Досліджено енергетичні залежності інтенсивності пружного розсіювання електронів і спектрів втрат різномодифікованими поверхнями монокристалічного p-Si(100), полірованим гранями (111), (100), (110) монокристалічного Ge, атомно-чистими й окисленими шарами Mg. Визначено параметри об'ємних іповерхневих електронних станів досліджених об'єктів. Встановлено взаємозв'язок між особливостями в енергетичних залежностях інтенсивності пружного зворотного розсіювання електронів низьких енергій та у спектрах втрат енергії зі збудженням електронних переходів між точками, які відповідають максимумам густини об'ємних і поверхневих електронних станів у приведеній зоні Бріллюена даних об'єктів.

  Завантажити