На підставі енергетичних залежностей збудження спектральних ліній іона індію виявлено чіткі структурні особливості як щодо порогів збудження, так і за потенціалом іонізації, які обумовлені безпосереднім або через каскадні переходи впливом резонансних процесів, якими є утворення автоіонізаційних станів (АІС) за рахунок захоплення налітаючого електрона іоном з подальшим їх розпадом в радіаційному й електронному каналах. Встановлено, що структурні особливості до порогів електронного збудження досліджуваних спектральних ліній обумовлені процесом діелектронної рекомбінації та є діелектронними сателітами цих ліній. Показано, що через енергетичну неоднорідність електронів у пучку, енергетичні залежності електронного збудження діелектронних сателітів та спектральних ліній накладаються одна на одну, що призводить до спотворення останніх на межі збудження. Виявлено велику ймовірність існування радіаційного каналу розпаду АІС за рахунок їх сильного конфігураційного змішування, що призводить до перерозподілу йомовірностей між електронним та радіаційним каналами розпаду, особливо поблизу порогів збудження.

  Завантажити