![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=20081124016664<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
| Ананьїна О.Ю. Квантово-хімічне моделювання процесів взаємодії водню, силану, атомів та іонів фосфору і бору з упорядкованими та дефектними поверхнями Si(100) і Ge(100) : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / О.Ю. Ананьїна ; Ужгор. нац. ун-т. — Ужгород, 2006. — 20 с. — укp.На підставі напівемпіричного методу MNDO проведено моделювання процесів адсорбції, десорбції, поверхневої міграції частинок адсорбату на поверхнях Si(100) і Ge(100). Розглянуто проблему врахування впливу ступеня покриття поверхонь воднем на механізм десрбації з моно- та дигідридних станів; встановлено вплив вакансійних дефектів на адсорбційні властивості поверхонь. Розраховано енергетичні характеристики процесів взаємодії силану з поверхнями Si(100) і H/Si(100), встановлено механізми початкових стадій росту кремнієвих плівок. Розраховано хемосорбційні стани іонів та атомів фосфору та бору, що адсобруються на поверхні Si(100) і Ge(100). Продемонстровано різницю геометричних і електронних характеристик цих станів. Завантажити
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2,022 + Шифр НБУВ: РА343678
Рубрики:
|
|
|