На підставі напівемпіричного методу MNDO проведено моделювання процесів адсорбції, десорбції, поверхневої міграції частинок адсорбату на поверхнях Si(100) і Ge(100). Розглянуто проблему врахування впливу ступеня покриття поверхонь воднем на механізм десрбації з моно- та дигідридних станів; встановлено вплив вакансійних дефектів на адсорбційні властивості поверхонь. Розраховано енергетичні характеристики процесів взаємодії силану з поверхнями Si(100) і H/Si(100), встановлено механізми початкових стадій росту кремнієвих плівок. Розраховано хемосорбційні стани іонів та атомів фосфору та бору, що адсобруються на поверхні Si(100) і Ge(100). Продемонстровано різницю геометричних і електронних характеристик цих станів.

  Завантажити