Установлено, що градієнтне легування буферного SiGe шару вуглецем значною мірою перешкоджає зародженню дислокацій за надкритичних товщин, а також зазначено, що необхідна величина постійної гратки на поверхні такої підкладки реалізується у разі значно менших товщин у порівнянні з SiGe-градієнтними шарами. Виявлено якісні відмінності механізму росту самоіндукованих острівців Ge та Si від класичного механізму Странського - Крастанова, зумовлені у процесі росту інтердифузією, стимульованою неоднорідними механічними напруженнями навколо острівців. З використанням спектроскопії комбінаційно розсіюваного світла (КРС) установлено взаємозв'язок компонентного складу та напружень в острівцях з температурою їх росту та номінальною товщиною осадженого шару германію. Визначено збільшення вмісту атомів кремнію в острівцях та зменшення пружної релаксації наноострівців після зарощення їх кремнієм. Відзначено, що у разі інтерпретації низькочастотних акустичних смуг КРС необхідно приймати до уваги реальну структуру острівцевої плівки, а не номінальні товщини шарів Ge та Si.

  Завантажити