| Джаган В.М. Комбінаційне розсіювання світла в структурах з тонкими SiGe шарами та самоіндукованими SiGe наноострівцями : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / В.М. Джаган ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова. — К., 2004. — 17 с. — укp.Установлено, що градієнтне легування буферного SiGe шару вуглецем значною мірою перешкоджає зародженню дислокацій за надкритичних товщин, а також зазначено, що необхідна величина постійної гратки на поверхні такої підкладки реалізується у разі значно менших товщин у порівнянні з SiGe-градієнтними шарами. Виявлено якісні відмінності механізму росту самоіндукованих острівців Ge та Si від класичного механізму Странського - Крастанова, зумовлені у процесі росту інтердифузією, стимульованою неоднорідними механічними напруженнями навколо острівців. З використанням спектроскопії комбінаційно розсіюваного світла (КРС) установлено взаємозв'язок компонентного складу та напружень в острівцях з температурою їх росту та номінальною товщиною осадженого шару германію. Визначено збільшення вмісту атомів кремнію в острівцях та зменшення пружної релаксації наноострівців після зарощення їх кремнієм. Відзначено, що у разі інтерпретації низькочастотних акустичних смуг КРС необхідно приймати до уваги реальну структуру острівцевої плівки, а не номінальні товщини шарів Ge та Si. Завантажити Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6,022 + Шифр НБУВ: РА333058
Рубрики:
|