Наведено результати комплексних досліджень основних закономірностей та особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у сильнодеформованих кристалах кремнію та германію n-типу провідності. Запропоновано методи визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників. Встановлено, що поряд з класичними механізмами перерозподілу електронів між долинами існують додаткові, пов'язані з радикальною перебудовою зони провідності за рахунок деформаційно-індукованого збільшення ефективної маси електрона. Для сильнолегованих кристалів кремнію за умови досягнення переходу метал - ізолятор одержано залежність ефективної маси електрона від одновісного тиску, що знаходиться в повній відповідності з теоретичними розрахунками, а також з експериментальними даними. З'ясовано особливості ударної іонізації станів дрібних домішок на ізоляторному боці деформаційно-індукованого переходу метал - ізолятор для сильнолегованих кристалів кремнію та германію n-типу провідності. Виявлено особливості електрофізичних властивостей нейтронно-легованих кристалів кремнію, зумовлені наявністю високотемпературних технологічних термодонорів.

  Завантажити