Науково обгрунтовано математичні моделі фізичних процесів і субмікронних ефектів у сучасних транзисторних структурах та інтегральних схемах міліметрового діапазону довжини хвиль, з використанням яких розроблено перспективні гетеробіполярні транзистори з заданими параметрами та характеристиками, а також компоненти та інтегральні пристрої на їх основі та субмікронні транзистори з бар'єром Шотткі та гетероселективним легуванням. Удосконалено технології виготовлення зазначених приладів. Проаналізовано, узагальнено та сформульовано фізичні особливості та ефекти, властиві субмікронним структурам з розмірами, порівняними з довжиною вільного пробігу електронів. Обгрунтовано та створено ієрархічний ряд математичних моделей різного рівня. Визначено функціональні особливості субмікронних приладів та умови застосованості їх моделей до завдань адаптивного проектування.

  Завантажити