З використанням методу зворотного розсіювання іонів визначено механізм формування силіціду металів у опромінених структурах метал - напівпровідник. Проведено теоретичний аналіз процесу формування перехідного шару між підкладкою та нанесеною з використанням низькоенергетичного потоку іонів металевою плівкою. На підставі результатів аналізу показано можливість формування металевих покриттів і керамічних та напівпровідникових підкладках з високою адгезію. Досліджено процес формування профілю домішки на великих глибинах з застосуванням потоку прискорених іонів. За результатами досліджень доведено можливість управління профілем розподілу концентрації домішки на великих глибинах. Виявлено ефект "іонного розпухання" (радіаційного розпухання) кремнію за його опромінення іонами бору. Проаналізовано термодинаміку процесів підвищення раціаційної стійкості шаруватих структур та виробів твердотільної електроніки за впливу термічних і електричних полів. Досліджено процес гальмування первинних зміщених атомів у матеріалах, які опромінюються, з урахуванням світлового випромінювання, яке виникає під час гальмування. Показано, що інтенсивність світлового випромінювання достатня для внутрішнього фотоефекту та генерації фотострумів, які можуть спричинити неробочий стан інтегральних шаруватих структур. Розвинуто теоретичну модель процесу перерозподілу маси речовини на межі метал - напівпровідник за рахунок масопереносу за умов взаємодії шаруватих структур з потоками іонів, нейтронів і гамма-квантів. Розвинуто теоретичні засади методу зворотнього розсіювання іонів. Удосконалено спосіб виготовлення прецизійних діафрагм з шириною щілини 0,1 - 10 мкм для формування світлових, рентгенівських та іонних потоків. Розглянуто аспект їх використання у нанотехнологіях. Розроблено рекомендації для розробників технології виробництва інтегральних схем, які дозволяють підвищити раціаційну стійкість шаруватих інтегральних структур, які використовуються за умов опромінення.

  Завантажити