Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=20081124024632<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
| Коломис О.Ф. Морфологія поверхні та оптичні властивості (In,Ga)As/GaAs та InAs/AlSb наноструктур : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / О.Ф. Коломис ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова. — К., 2006. — 16 с. — укp.Виявлено, що у разі збільшення кількості періодів структури ступінь латерального впорядкування та однорідності квантових точок покращується, що супроводжується збільшенням ступеня поляризації їх випромінювання. Встановлено, що у випадку InSb-подібного інтерфейсу структури InAs/AlSb має місце зменшення концентрації та збільшення рухливості 2D електронів в InAs квантовій ямі. Вперше виявлено помітні зміни концентрації 2D електронів та їх взаємодії з LO-фононами InAs залежно від енергії кванта збудження за низької температури. Завантажити Індекс рубрикатора НБУВ: В371,022 + В372,022 + В379.2,022 + Шифр НБУВ: РА342648
Рубрики:
|
|
|