Досліджено тензорезистивні ефекти в Se і Ge n і p-типу за умов сильного напрямленого току у взаємозв'язку зі змінами енергетичної структури кристалів. Вивчено закономірності деформаційно-індукованого переходу метал - ізолятор у вироджених кристалах Ge(Sb) n-типу за умов екстремального сильного одновісного тиску у напрямку [100]. Установлено, що причиною деформаційно-індукованих фазових переходів метал - ізолятор в n-Ge(Sb) є відповідна перебудова зони провідності Ge, яка характеризується збільшенням ефективної маси вільних електронів. Залежність тензоопору кристалів p-Si від тиску за умов сильного одновісного тиску визначається ефектом переселення носіїв з зони "легких" у зону "важких" дірок, що призводить до збільшення ефективних мас дірок і опору, а також перебудовою валентної зони та взаємопов'язаним з цим зменшенням опору. Установлено, що у сильно легованому p-Si залежність опору від одновісного тиску у певних напрямках має експоненціальний характер, щодо підтверджує можливість стрибкового характеру провідності.

  Завантажити