Обгрунтовано методи розрахунку електричних параметрів переключення p-n-p-n структур за високого рівня інжекції носіїв у бази структури. Визначено залежності струму та напруги переключення тиристора від величини світлового потоку (за освітлення колектора) або від показника напруги на польовому електроді (у разі включення електричним полем). Розроблено фізичний механізм дії та конструкцію фотоприймача на основі чотирьохшарової структури з польовим електродом. Запропоновано засіб усунення ввімкнення паразитних p-n-p-n структур в інтегральних транзисторних схемах. Досліджено вплив радіації на напругу переключення p-n-p-n структур.

  Завантажити