Зроблено висновок про можливість застосування моделі легованих компенсованих напівпровідників для пояснення їх електричних, оптичних і фотоелектричних властивостей. Доведено, що за більш високих температур переважає перенос по рівнях протікання, розташованих у хвостах густини станів. Введення домішки призвело до змін ступеня компенсації, спектра поглинання, величини провідності та фотопровідності. У разі генерації носіїв заряду світлом з енергією, меншою за ширину забороненої зони, у всіх досліджених кристалах рухомими були електрони та дірки. Показано, що провідність плівок контролюється глибокими пастками, що мають гауссовий розподіл за енергіями. Встановлено, що перенос заряду на постійному та змінному струменях здійснюється стрибками носіїв заряду по локалізованих станах.

  Завантажити