| Братусь В.Я. Природа та структура парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC і кремнієвих матеріалах з наноструктурами : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / В.Я. Братусь ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України. — К., 2006. — 28 с. — укp.З'ясовано природу та стуктуру домішкових і власних парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC та кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. Встановлено, що резонансне спінове поглинання центрів Mn у нейтральному стані має електродипольну природу. Визначено симетрію та параметри надтонкої взаємодії для мілкої домішки бору у 3C - SiC. Визначено параметри спін-гамільтоніана трьох основних дефектів Ку1, Ку2 та Ку3, утворених опроміненням електронами кристалів 6H - SiC p-типу. Завантажити
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.312 + З843.312 + З843.312 + З843.312 Шифр НБУВ: РА343811
Рубрики:
|