Визначено технологічні умови росту: сприятливі для одержання напівізолюючих подвійно легованих кристалів телуриду кадмію та ртутних твердих розчинів, близьких до нього за складом. Оптичні дослідження зазначених матеріалів дозволили ідентифікувати основні фотоіонізаційні переходи, що мають місце у кристалах, легованих домішками двох видів, а також пов'язати ці дані з результатами досліджень у них явищ переносу. На основі високоомних кристалів CdTe : V створено випрямляючі структури типу метал - напівпровідник, що завдяки своїй фоточутливості в області 1 - 1,5 мкм принципово можуть використовуватися як фотоприймачі у волоконно-оптичних лініях зв'язку.

  Завантажити