| Танасюк Ю.В. Процеси переносу заряду в легованих кристалах CdTe, Cd0,95Hg0,05Te та структурах на їх основі : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Ю.В. Танасюк ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2003. — 17 с. — укp.Визначено технологічні умови росту: сприятливі для одержання напівізолюючих подвійно легованих кристалів телуриду кадмію та ртутних твердих розчинів, близьких до нього за складом. Оптичні дослідження зазначених матеріалів дозволили ідентифікувати основні фотоіонізаційні переходи, що мають місце у кристалах, легованих домішками двох видів, а також пов'язати ці дані з результатами досліджень у них явищ переносу. На основі високоомних кристалів CdTe : V створено випрямляючі структури типу метал - напівпровідник, що завдяки своїй фоточутливості в області 1 - 1,5 мкм принципово можуть використовуватися як фотоприймачі у волоконно-оптичних лініях зв'язку. Завантажити
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.1,022 + В379.222,022 Шифр НБУВ: РА326699
Рубрики:
|