Досліджено механізм формування поверхневих рельєфів під час голографічного запису в багатошарових наноструктурах на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників та аморфного селену. Для деталізації вивчено оптичний запис і термічне стирання в плівках аморфного селену. Механізм виникнення поверхневого рельєфу у ньому пояснено на підставі явища фотоіндукованої кристалізації a-Se, яка є зворотньою до певних розмірів кристалітів у матриці аморфного матеріалу. Розроблено теоретичну модель формування та стирання поверхневого рельєфу з врахуванням явищ фото- та термоіндукованої взаємоіндифузії в багатошаровій структурі даного типу, що призводить до зміни її загального об'єму. Показано, що зменшення періоду багатошарової структури до нанометрових розмірів спричинює різке зростання швидкості зміни товщини структури в цілому, а отже, підвищення ефективності даного типу оптичного запису. Наведено приклади практичного використання одержаних структур як світлочутливого матеріалу для голографічного запису в реальному масштабі часу без хімічного травлення.

  Завантажити