Не дивлячись на прогнозовану високу стійкість приладів на базі матеріалів нітридної групи, встановлено значну (до 40 %) деградацію основних параметрів транзисторів та виявлено складний характер стимульованої деградації HEMT (зокрема, спостережено залежність ефектів від геометричних розмірів транзисторних структур та робочих умов). Проаналізовано фізичні причини радіаційного старіння тестових структур з урахуванням можливої релаксації механічних напружень бар'єрного шару AlGaN, а також стимульованих міжфазних реакцій та зернограничної дифузії у контактній металізації.

  Завантажити