Викладено теоретичні засади, методи та засоби створення нового класу радіовимірювальних мікроелектронних перетворювачів температури, тиску, магнітного поля, оптичного випромінювання, сумісних з мікроелектронною елементною базою, принцип роботи яких грунтується на функціональній залежності реактивних властивостей транзисторних структур з від'ємним опором від дії зовнішніх фізичних факторів. Виконання даних робіт створює основи для проектування конкурентоспроможних зразків зазначеної продукції. Вперше розроблено елементи теорії термореактивного, фотореактивного, тензореактивного та магнітореактивного ефектів для чутливих елементів радіовимірювальних перетворювачів у вигляді біполярних і польових транзисторів на основі розв'язку рівняння перенесення та рівноваги Пуассона, що дало можливість отримати залежність активної та реактивної складових від температури, оптичного випромінювання, магнітного поля та тиску. Доведено, що дані залежності є суттєвими для створення нового класу радіовимірювальних мікроелектронних перетворювачів з поліпшеними економічними та метрологічними показниками. Апробовано математичні моделі зазначених перетворювачів, в яких ураховано вплив температури, тиску, магнітного поля, оптичного випромінювання на елементи нелінійних еквівалентних схем пристроїв, що описуються системою рівнянь, на основі яких одержано аналітичні вирази для функції перетворення та рівняння чутливості. Розроблено електричні схеми перетворювачів, оптимізовано їх конструкції та режими роботи. Значну увагу приділено пакетам прикладних програм для моделювання та розрахунків характеристик радіовимірювальних мікроелектронних перетворювачів.

  Завантажити