Вперше проведено комплексний аналіз процесів на межі поділу електрод - рідкий кристал. Встановлено, що саме молекули з більшою поляризаційною здатністю створюють сольватні оболонки навколо іонів. З'ясовано, що за наявності сольватних оболонок іони притягуються до поверхні електрода переважно за рахунок дії сил дзеркального зображення. Визначено, що перенос електронів відбувається завдяки емісії Шотткі крізь тонкий діелектричний шар. У планарно орієнтованих рідких кристалах з ненульовим дипольним моментом виявлено низькочастотний релаксаційний процес, зумовлений дипольною поляризацією молекул у приелектродній області, товщина якої дорівнює дебаївській товщині екранування. Визначено параметри подвійних електричних шарів за відсутності та наявності електричного поля.

  Завантажити