Визначено умови для отримання плівок моносульфіду самарію кубічної модифікації, а також умови, які забезпечують відтворюване отримання вакуумною технологією плівок SmS з високою тензочутливістю. Досліджено рекомбінаційні параметри і механізми струмопереходу в тонкоплівкових структурах моносульфіду самарію, а також вплив матеріалу контактів на властивості цих структур. Визначено метрологічні характеристики напівпровідникових плівок на основі SmS і сформульовано основні особливості топології напівпровідникових тензорезисторів із SmS і показано деякі їх переваги перед металевими фольговими тензорезисторами.

  Завантажити