Розроблено експериментальні методи дослідження параметрів багатошарових планарних структур, розраховано основні структурні властивості плівок зі спектрів відбиття X-променів з використанням квазізаборонених рефлексів (КЗР) у бреггівській геометрії дифракції. З застосуванням напівкінематичного наближення теорії розсіювання X-променів для розрахунків кривих дифракційного відбиття (КДВ) показано, що в короткоперіодних надгратках (НГ) зміна співвідношення інтенсивностей сателітів, розташованих з боку менших і більших кутів від нульового сателіта, залежать як від ступеня структурної досконалості (фактора Дебая - Валлера, параметра ближнього порядку), так і від рівня пружної деформації окремих шарів. Встановлено, що даний факт обумовлений нерівноцінними фазовими змінами в структурному множнику кожного з реальних шарів. Виявлено, що для адекватного опису КДВ від багатошарових структур необхідно враховувати якнайбільшу кількість дифракційних параметрів, особливо в короткоперіодних надгратках далеко від кута точного бреггівського положення. Обгрунтовано й апробовано нові експериментальні методи з використанням КЗР для одержання параметрів структур і композиційного розподілу в шарах НГ. Вперше встановлено можливість розділення внесків у відбивну здатність кожного з шарів структури окремо, високу чутливість КЗР до складу твердих розчинів субшарів, а також чутливість сателіта НГ до дефектної структури шарів різних видів. Показано, що в структурах, один з шарів якої утворений елементами, які мало відрізняються атомними номерами, роллю даного шару у формуванні дифракційної картини можна знехтувати, оскільки він впливає лише на зміну фази розсіяння. Експериментально встановлено двохшаровий розподіл індію з різним його вмістом в областях квантових ям багатошарової структури InGaAs/GaAs та з'ясовано роль форми даного розподілу у формуванні КДВ у випадку дифракції Брегга.

  Завантажити