| Борковська Л.В. Роль макродефектів в електронних та іонних процесах в кристалах і епітаксійних шарах сполук A2B6 : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Л.В. Борковська ; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 1999. — 16 с. — укp.Показано, що декорування дислокацій точковими дефектами в кристалах CdS приводить до розмиття краю фундаментального поглинання внаслідок формування хвостів густини станів у придислокаційних областях. Встановлено, що цей ефект проявляється в зміні форми спектра крайової люмінесценції і процесах деградації лазерів з електронним збудженням. Виявлено ефект безактиваційного збирання донорів на дислокації під дією імпульсного ультразвуку. Доводиться, що фотостимульоване утворення дрібних донорів в об'ємі кристалів CdS обумовлено розпадом кластерів атомів кадмію. Ідентифіковано смуги люмінесценції, пов'язані з макродефектами, в епітаксійних шарах ZnTe/GaAs і ZnSe/GaAs. Встановлено, що приповерхнева область цих шарів містить підвищену концентрацію лінійних і точкових дефектів. Завантажити Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022
Рубрики:
|