Узагальнено нелокальний підхід для електронної кінетики плазми за умов низьких тисків за присутності поверхневої хвилі (ПХ). Вперше одержано повністю самоузгоджену систему рівнянь для опису джерела плазми, що підтримується ПХ за умов низьких тисків у циліндричній геометрії. Обчислено коефіцієнти енергетичної дифузії електронів, за допомогою яких механізм поглинання енергії ПХ у нелокальному наближенні визначено як стохастичний і встановлено його вплив на процес нагрівання. Вперше проведено порівняльний аналіз енергії ПХ, що поглинається, за рахунок різних механізмів (резонансного та стохастичного). Показано, що у більшості випадків переважає стохастичний механізм. Вперше досліджено вихід за межі нелокального підходу, побудовано автомодельний розв'язок і виділено параметр нелокальності. Показано суттєву роль двовимірної неоднорідності плазми під час визначення її параметрів у джерелі на ПХ.

  Завантажити