Установлено, що у процесі витримки за кімнатної температури упродовж дев'яти років кристали кремнію, опромінені високоенергетичними електронами (E ~ 18 МеВ) у дозах 3,6 та 5,4 кГрей, стали більш однорідними за структурою, ніж у разі опромінення у дозах 1,8 і 2,7 кГрей. Визначено зміну концентрації, розмірів і спектра мікродефектів у кристалах кремнію, опромінених високоенергетичними частинками за умов тривалого природного старіння. Виявлено температурний гістерезис внутрішнього тертя та ефективного модуля зсуву в неопромінених і серії опромінених зразків кремнію. Поява петлі гістерезису взаємопов'язана з взаємодією генетичних мікродефектів з точковими дефектами у кристалі та їх несиметричним розподілом у процесі нагрівання - охолодження зразків. Установлено, що збільшення дози опромінення високоенергетичними частинками призводить до зменшення петлі гістерезису (площі), а за дози 3,6 кГрей до його повного зникнення, зумовленого збільшенням числа стоків для точкових дефектів як дрібних за розмірами (~ 1 - 5 мкм) мікродефектів.

  Завантажити