Розроблено комплекс установок для вирощування кристалів II - VI сполук. Створено тепловий вузол з двома роздільно керованими нагрівачами для вирощування кристалів з розплаву під тиском аргону до 100 атм за будь-яким методом: за Бриджменом, зонною плавкою або градієнтним охолодженням. Запропоновано принцип побудови теплового вузла ростової камери для вирощування великогабаритних кристалів. Охарактеризовано установку для вирощування кристалів селеніду цинку за методом Штебера діаметром 250 мм. Класифіковано фізичні фактори, що обумовлюють поглинання інфрачервоного випромінювання в кристалах селеніду цинку. Розроблено технологію вирощування зазначених кристалів для виготовлення елементів силової оптики. Доведено, що в ході вирощування сильно напружених кристалів ZnSe їх властивості модифікуються і спостерігаються аномальні фізичні ефекти, які можна використовувати для створення оптичних та акустичних пристроїв. Відзначено, що досягнення плоскої форми фронту кристалізації є необхідною умовою отримання матеріалу для напівпровідникових гамма-детекторів зі спектрометричними властивостями за кімнатної температури.

  Завантажити