Проведено теоретичний аналіз та експериментальне дослідження впливу домішок вісмуту та талію на домінуючі точкові дефекти. Виявлено механізми їх утворення та взаємодії у чистому селеніді свинцю та у випадку надлишку свинцю та селену.Досліджено легувальну дію домішок вісмуту та талію, а також явище самокомпенсації у масивних зразках PbSe, насичених селеном і свинцем відповідно. Виконано квазіхімічний і термодинамічний розрахунки рівноважної концентрації точкових дефектів, визначено їх константи рівноваги та ентальпії. Оптимізовано технологічні фактори вирощування плівок з парової фази методом "гарячої стінки" та кристалів PbSe, легованих вісмутом і талієм, що забезпечують n- або p-тип провідності матеріалів з мінімальними концентраціями та максимальною рухливістю, необхідні для приладових структур опто- та мікроелектроніки.

  Завантажити