Розроблено нові фізичні та технологічні підходи до створення приладів мікроелектроніки. Створено фізико-технологічні засади одержання гетероструктур на основі p-InSe-поліфенілацетилену, p-InSe-поліаніліну, а також композита на основі мікродиспергованого InSe у спряженому полімері, досліджено їх електрохімічні та фотоелектричні властивості. Розроблено фізично-технологічні засади створення сенсорів на основі поруватого кремнію та провідних полімерів. Модифікацію поверхні селеніду галію широкозонними напівпровідниковими плівками здійснено на базі розробленої технології формування оксидного шару на цій поверхні з застосуванням лазерного окиснення та методу іонного розпилення у схрещених електричному та магнітному полях для формування нітридо-галієвих структур.

  Завантажити