Побудовано фізичну модель зародження, росту та розчинення складної системи нано- та мікророзмірних дефектів у перенасиченому твердому розчині кисню у кремнії. Описано еволюцію функцій розподілу дефектів за розмірами у цій системі, яка складається з об'ємних частинок нової фази (преципітатів кисню) і пор, а також плоских агломератів міжвузельних атомів кремнію (дислокаційних петель) як систему дискретних і континуальних диференційних кінетичних рівнянь. Закони збереження точкових дефектів описано системою рівнянь дифузії для міжвузельних атомів кисню, кремнію і вакансій з урахуванням межових умов на поверхні кристала. На базі розробленої моделі проведено комп'ютерне моделювання процесів утворення та розвитку системи взаємодіючих об'ємних і плоских дефектів за різних умов теплових обробок пластин кремнію. Установлено особливості кінетики росту преципітатів кисню та дефектів упаковок за різних режимів остигання вирощуваного кристала. Визначено вплив головних технологічнх і фізичних параметрів на кінетику процесів кластеризації у разі остигання та відпалів кристала кремнію.

  Завантажити